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鈮酸鋰晶體 波前傾斜太赫茲發生器 鈮酸鋰（LiNbO3）晶體作為一種應用廣泛的光學材料，它優良的電光、聲光、壓電、熱電和非線性光學特性使得鈮酸鋰晶體可以被廣泛的應用于電/聲光器件、高溫聲波傳感器、電光調制器（譜克爾盒）、頻率轉換器件、太赫茲產生器件等等。

太赫茲有機晶體Generators and Detectors ，THz organic crystal，DAST，有機晶體，THz有機晶體，太赫茲有機晶體，THz晶體，太赫茲發生器，太赫茲探測器，有機晶體DAST，太赫茲晶體DAST，太赫茲有機晶體DAST 非線性有機晶體在產生和探測THz時，往往更加高效，且可產生的頻譜更寬。

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GaSe硒化鎵晶體是一種暗棕色閃光的片狀晶體。相對密度5.03，熔點(960±10)℃。GaSe和GaS一樣是層狀結構半導體，隨著溫度的降低，GaSe光電效應最大值向短波方向移動。硒化鎵作為一種非線性晶體和光電導體，通常被應用于這些方面：于CO2激光器的二次諧波的產生，CO2激光器頻率上轉換至近紅外或可見光，中紅外波段的光學混頻，以及5.5um-18.0um中紅外波段的的不同頻率的產生。同時GaS

磷化鎵晶體GaP太赫茲晶體 GaP磷化鎵是一種人工合成的化合物半導體材料。外觀：橙紅色透明晶體。磷化鎵是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導體材料。（110）晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時域光譜儀中作為探測晶體，其橫光學支聲子線在11THz。通常可探測的頻譜寬度在0.1-6.5THz。

ZnGeP2 晶體 ZGP晶體 太赫茲晶體$nZnGeP2（ZGP）單晶是用于頻率轉換產生中紅外以及太赫茲波的高效的非線性光學材料。ZnGeP2晶體具有正的雙折射，可以在0.75um-12.0um的波長范圍進行相位匹配光學參量頻率轉換。其有用的傳輸范圍位于從2.1至10.6微米，此范圍內具有低至 0.04 cm-1的吸收。

太赫茲有機晶體 太赫茲發生器,DAST,DSTMS,OH1,太赫茲晶體，DAST晶體,DSTMS晶體,OH1晶體 基于有機晶體DAST，DSTMS，OH1晶體的太赫茲產生器，太赫茲探測器。